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纳芯微NSi6602A-DLAR 隔离半桥驱动
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纳芯微NSi6602A-DLAR 隔离半桥驱动

NSi6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC,可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。

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品牌:纳芯微型号:NSi6602A-DLAR类型:其他IC
封装:见规格书

纳芯微NSi6602A-DLAR 隔离半桥驱动详细介绍

NSi6602是一系列高可靠性的隔离式双通道栅极驱动器IC, 可以设计为驱动高达2MHz开关频率的功率晶体管。每个输出可以以快速的25ns传播延迟和5ns的延迟匹配来提供4A/6A的拉灌电流能力。NSi6602在5*5mmLGA13封装中按照UL1577提供2500Vrms隔离, 在SOIC16(150mil)窄体封装中提供3000Vrms隔离, 在SOIC16(300mil)和SOIC14(300mil)宽体封装中提供5700Vrms隔离。100kV/us的最小共模瞬变抗扰度(CMTI)提高系统鲁棒性。该驱动器的电源电压为28V,而输入侧则接受2.7V至5V的电源电压。所有电源电压引脚均支持欠压锁定(UVLO)保护。



产品特性

?  隔离式双通道驱动器

?  输入侧电源电压: 2.7V至5.5V

?  驱动器侧电源电压:使用UVLO时高达28V

?  峰值4A/6A拉灌电流能力

?  高CMTI: ±100KV/μs

?  19ns典型传播延迟

?  5ns延迟匹配

?  6ns脉冲宽度失真

?  可编程死区时间

?  接受最小输入脉冲宽度20ns

?  工作温度 -40℃~125℃

?  封装形式

    LGA13

    SOIC14宽体

    SOIC16宽体

    SOIC16窄体

安全认证

?  UL1577认证

   LGA13:1分钟 2.5kVrms

   SOW14:1分钟 5.7kVrms

   SOW16:1分钟 5.7kVrms

   SOP16:1分钟3kVrms

?  CQC认证:符合GB4943.1-2011

?  CSA认证:组件符合5A

?  VDE认证:DIN V VDE V 0884-11:2017-1


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